Главная > стенды по электротехнике и энергетике > стенды по электротехнике и электронике
Теоретические основы электротехники ТОЭ1-С-К

Теоретические основы электротехники ТОЭ1-С-К

Теоретические основы электротехники» ТОЭ1-С-К
(Теория электрических цепей, теория электромагнитного поля,
основы электроники.
Стендовое исполнение, компьютеризованная версия)

1. НАЗНАЧЕНИЕ

Комплект типового лабораторного оборудования « Теоретические основы электротехники» ТОЭ1-С-К
(далее – комплект) предназначен для проведения лабораторно-практических занятий по одноименной учебной дисциплине в высших и средних профессиональных образовательных учреждениях и допускает работу на нем при температурах от +10 до +35оС и относительной влажности воздуха до 80 % при +25оС.
2. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

1. Потребляемая мощность, В•А, не более 350
2. Электропитание:
- и от однофазной сети переменного тока
с рабочим нулевым и защитным проводниками
напряжением, В 220 ± 22
- частота, Гц 50 ± 0,5

3. Класс защиты от поражения электрическим током I
4. Габаритные размеры, мм, не более
- длина (по фронту) 1820
- ширина (ортогонально фронту) 850
- высота 1300

5. Масса, кг, не более 80
6. Количество человек, которое одновременно и активно может работать на комплекте 2
3. СОСТАВ АППАРАТНОЙ ЧАСТИ

Блок генераторов напряжений
Наборная панель
Коннектор
Блок мультиметров
Набор миниблоков «Электрические и электронные компоненты»
Набор миниблоков «Трансформаторы»
Набор миниблоков «Электромагнитное поле»
Набор планшетов для моделирования электрических и магнитных полей
Набор устройств для исследования поверхностного эффекта
Плата ввода/вывода данных 6023Е с адаптером
4. Примерный перечень базовых экспериментов (лабораторных работ),
1. Электрические цепи постоянного тока.

1.1. Параметры электрической цепи, постоянных напряжения и тока.
1.2. Закон Ома.
1.3. Исследование цепей с резисторами.
1.3.1. Линейные резисторы.
1.3.2. Терморезисторы с отрицательным температурным коэффициентом.
1.3.3. Терморезисторы с положительным температурным коэффициентом.
1.3.4. Варисторы.
1.3.5. Фоторезисторы.
1.3.6. Последовательное соединение резисторов.
1.3.7. Параллельное соединение резисторов.
1.3.8. Последовательно-параллельное соединение резисторов.
1.3.9. Резистивный делитель напряжения.
1.4. Эквивалентный источник напряжения (ЭДС).
1.5. Последовательное соединение источников напряжения (ЭДС).
1.6. Параллельное соединение источников напряжения (ЭДС).
1.7. Электрическая мощность и работа.
1.8. Коэффициент полезного действия электрической цепи.
1.9. Согласование источника и нагрузки по напряжению, току и мощности.
1.10. Процессы заряда и разряда конденсатора.
1.11. Процессы при включении под напряжение и коротком замыкании катушки индуктивности.

2. Электрические цепи переменного тока.

2.1. Параметры синусоидальных напряжения и тока.
2.2. Активная мощность цепи синусоидального тока.
2.3. Цепи синусоидального тока с конденсаторами.
2.3.1. Напряжение и ток конденсатора.
2.3.2. Реактивное сопротивление конденсатора.
2.3.3. Последовательное соединение конденсаторов.
2.3.4. Параллельное соединение конденсаторов.
2.3.5. Реактивная мощность конденсатора.
2.4. Цепи синусоидального тока с катушками индуктивности.
2.4.1. Напряжение и ток катушки индуктивности.
2.4.2. Реактивное сопротивление катушки индуктивности.
2.4.3. Последовательное соединение катушек индуктивности.
2.4.4. Параллельное соединение катушек индуктивности.
2.4.5. Реактивная мощность катушки индуктивности.
2.5. Цепи синусоидального тока с резисторами, конденсаторами и катушками индуктивности.
2.5.1. Последовательное соединение резистора и конденсатора.
2.5.2. Параллельное соединение резистора и конденсатора.
2.5.3. Последовательное соединение резистора и катушки индуктивности.
2.5.4. Параллельное соединение резистора и катушки индуктивности.
2.5.5. Последовательное соединение конденсатора и катушки индуктивности. Понятие о резонансе напряжений.
2.5.6. Последовательное соединение конденсатора и катушки индуктивности. Понятие о резонансе токов.
2.5.7. Частотные характеристики последовательного резонансного контура.
2.5.8. Частотные характеристики параллельного резонансного контура.
2.5.9. Мощности в цепи синусоидального тока.
2.6. Трансформаторы.
2.6.1. Коэффициент магнитной связи.
2.6.2. Коэффициент трансформации.
2.6.3. Преобразование сопротивлений с помощью трансформатора.
2.6.4. Определение параметров схемы замещения и построение векторной диаграммы трансформатора.
2.6.5. Внешняя характеристика и коэффициент полезного действия трансформатора.
2.7. Трехфазные цепи синусоидального тока.
2.7.1. Напряжения и токи в трехфазной цепи.
2.7.2. Трехфазная нагрузка, соединенная по схеме «звезда».
2.7.3. Трехфазная нагрузка, соединенная по схеме «треугольник».
2.7.4. Аварийные режимы трёхфазной цепи при соединении нагрузки по схеме «звезда».
2.7.5. Аварийные режимы трёхфазной цепи при соединении нагрузки по схеме «треугольник».
2.8. Расчёт и экспериментальное исследование цепи при несинусоидальном приложенном напряжении.
2.9. Переходные процессы в линейных электрических цепях.
2.9.1. Переходные процессы в цепи с конденсатором и резисторами.
2.9.2. Переходные процессы в цепи с катушкой индуктивности.
2.9.3. Переходные процессы в колебательном контуре.

3. Однородная длинная линия.

3.1. Распределение напряжения вдоль однородной длинной линии.
3.2. Исследование зависимости входных сопротивлений линии от её электрической длины и сопротивления нагрузки.
3.3. Отражение волн от конца длинной линии.

4. Электронные приборы и устройства.

4.1. Выпрямительные диоды.
4.1.1. Характеристики диода.
4.1.2. Однофазный однополупериодный неуправляемый выпрямитель.
4.1.3. Однофазный мостовой неуправляемый выпрямитель.
4.1.4. Трехфазный нулевой неуправляемый выпрямитель.
4.1.5. Трехфазный мостовой неуправляемый выпрямитель.
4.2. Стабилитроны.
4.2.1. Характеристики стабилитрона.
4.2.2. Исследование параметрического стабилизатора напряжения.
4.2.3. Сглаживание пульсаций выпрямленного напряжения.
4.3. Диоды с особыми свойствами.
4.3.1. Характеристики светодиода.
4.3.2. Характеристики варикапа.
4.4. Биполярные транзисторы.
4.4.1. Испытание слоев и исследование выпрямительного действия биполярных транзисторов.
4.4.2. Исследование распределения тока в транзисторе и управляющего эффекта тока базы транзистора.
4.4.3. Характеристики транзистора.
4.4.4. Установка рабочей точки транзистора и исследование влияния резистора в цепи коллектора на коэффициент усиления по напряжению усилительного каскада с общим эмиттером.
4.4.5. Усилители на биполярных транзисторах.
4.4.6. Линейный регулятор напряжения.
4.4.7. Линейный регулятор тока.
4.5. Униполярные (полевые) транзисторы.
4.5.1. Испытание слоев и исследование выпрямительного действия униполярных транзисторов.
4.5.2. Характеристика включения затвора полевого транзистора.
4.5.3. Управляющий эффект затвора полевого транзистора n-типа.
4.5.4. Выходные характеристики полевого транзистора.
4.5.5. Усилители на полевых транзисторах.
4.6. Тиристоры.
4.6.1. Характеристики диодного тиристора (симистора).
4.6.2. Характеристики триодного тиристора.
4.6.3. Фазовое управление тиристором.
4.7. Логические элементы.
4.7.1. Логический элемент «И».
4.7.2. Логический элемент «ИЛИ».
4.7.3. Логический элемент «НЕ».
4.7.4. Логический элемент «И-НЕ».
4.7.5. Логический элемент «ИЛИ-НЕ».
4.8. Операционные усилители.
4.8.1. Инвертирующий усилитель.
4.8.2. Неинвертирующий усилитель.
4.8.3. Суммирующий усилитель.
4.8.4. Дифференциальный усилитель.
4.8.5. Исследование операционного усилителя в динамике.

5. Теория электромагнитного поля.

5.1. Моделирование плоскопараллельных электростатических и магнитных полей током в проводящем листе.
5.2. Исследование постоянного магнитного поля на оси катушек с помощью датчика Холла.
5.3. Измерение магнитодвижущих сил и разности магнитных потенциалов.
5.4. Исследование поляризационной кривой сегнетоэлектрика.
5.5. Снятие петли гистерезиса ферромагнетика.
5.6. Исследование электромагнитных сил в постоянном магнитном поле.
5.7. Исследование поверхностного эффекта и эффекта близости.

Наша компания готова предложить своим клиентам, произвести и поставить учебные стенды по электротехнике и энергетике для ВПО, СПО, НПО.
Мы предлагаем Вашему вниманию стенд, стоимость комплекта 247500 руб. Актуальные цены уточняйте у менеджеров.
Мы готовы как к осуществлению поставки оборудования, так и к полному формированию проекта, подготовке всей необходимой документации и укомплектованию лабораторию «под ключ». Наша компания на практике подтверждает свою мобильность и надежность. Качество учебных и лабораторных стендов находится на высоком уровне, вся продукция проходит ОТК. Оборудование производится в нужные для Вас сроки и по доступной цене.

Нашими клиентами уже стали сотни университетов, техникумов, колледжей и училищ по всей России и странам ближнего зарубежья.

Надеемся на плодотворное сотрудничество!